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開關電源的設計,使用時BJT

開關電源的設計,使用時BJT

MOSFET已經(jīng)是是開關控制電源管理領域的絕對重要主力主要器件。24V開關電源是高頻逆變開關電源中的一個種類。什么是24V開關電源 24V開關電源就是用通過電路控制開關管進行高速的導通與截止.將交流電提供給變壓器進行變壓轉化為高頻率的交流電。開關電源廠家利用現(xiàn)代電力電子技術,控制開關管開通和關斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構成。12V開關電源主要檢查300V上的大濾波 電容 、整流橋各 二極管 及開關管等部位,抗干擾電路出問題也會導致保險燒、發(fā)黑。需要注意的是:因開關管擊穿導致保險燒一般會把電流檢測 電阻 和電源控制芯片燒壞。負溫度系數(shù)熱敏電阻也很容易和保險一起被燒壞。但在進行一些問題實例中,與MOSFET相比,雙極性不同結式晶體管 (BJT) 可能我們?nèi)匀贿€是會有存在一定的優(yōu)勢。特別是在離線系統(tǒng)電源中,成本和高電壓(大于 1kV)是使用BJT而非MOSFET的兩大部分理由。

對于低功率(3W及以下)反激功率,難以擊敗BJT。 成本.批量購買時,A13003NPN晶體管可低至0.03$。 一個設備不僅處理700VVCE,而且數(shù)百毫安電流可以驅動,沒有太多的基本流量。 使用的增益和功耗可能限制了低功耗應用的實際使用。 在這些低功耗標準下,MOSFET和BJT之間的效率差異是非常微妙的。 下面的圖1比較了兩個類似的5V/1W設計的效率。 第一種設計是“230VAC輸入,5.5V/250mA非隔離反激變換器”MOSFET,使用另一種設計是“120VAC輸入,5V/200mA反激變換器”BJT。 這并不是一個公平的比較,因為這兩個源被設計成在不同的輸入電壓下工作,但它顯示了它們的效率是多么的相似。

一些新的控制器實際上是設計來驅動 bjt,以提供最低成本的解決方案。 在大多數(shù)情況下,帶外部 bjt 的控制器比帶集成 mosfet 的控制器便宜。 在使用雙極晶體管控制器設計時,必須注意確保雙極晶體管的基極驅動和增益足以提供必要的變壓器峰值電流。

在略微更高的功率水平,效率差FET和BJT由于不良的開關特性BJT下降更加明顯。但是,輸入電壓100-240VAC比典型的家庭和商業(yè)應用的電壓范圍較高,BJT可能仍然有優(yōu)勢。工業(yè)實用性功率計的兩個例子的情況下,它們可能需要更高的輸入電壓。經(jīng)濟實惠的MOSFET只能千伏以下使用。在某些應用中,功率計,電源電壓可能超過480VACrms。整流后,將超過680Vdc的電壓。對于三相輸入,這個數(shù)字可能會更高。電源開關和需要承受此電壓與輸出反射峰的漏極電壓。在這些應用中,MOSFET可能根本不能作為一種選擇,所以BJT已成為最簡單,成本最低的解決方案。

我們自己之前討論過,當功率級提高到 3W 以上時,BJT 中的開關控制損失以及可能他們就會發(fā)展成為社會大問題。使用網(wǎng)絡級聯(lián)連接來進行驅動 BJT 可以有效緩解企業(yè)這一重要問題。下圖 2(摘自 PMP7040)是級聯(lián)系統(tǒng)連接的工作實際情況。BJT (Q1) 的基極連接至 VCC 電軌,同時發(fā)射極被拉低用以學生打開開關。在 UCC28610 內(nèi)部,一個具有低電壓 MOSFET 將 DRV 引腳拉低,并由國家一個公司內(nèi)部產(chǎn)生電流感應來安排相關峰值開關動作電流。由內(nèi)部 MOSFET 實現(xiàn)經(jīng)濟快速關斷,因為這是它與其他外部高電壓 BJT 串聯(lián)。

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